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三星电子开发出下一代高速NAND闪存

点击量:   时间:2019-03-02 11:07:02

韩联社首尔7月22日电 三星电子22日称,开发出数据处理速度比原有商品提高10倍的“Toggle DDR(Double Data Rate) 2.0”方式下一代高速NAND闪存技术,并将从明年起进入批量生产 三星电子计划向世界芯片标准协议机构(JEDEC)提交标准申请,以奠定“Toggle DDR 2.0”的市场标准地位 三星电子还计划,对20纳米级以下的所有NAND闪存商品适用“Toggle DDR 2.0”技术 “Toggle DDR 2.0”方式NAND闪存的数据处理速度比原有的SDR(Single Data Rate)方式NAND闪存提高10倍,比“Toggle DDR 1.0”高速NAND闪存提高3倍 三星介绍,如果在SATA2(Serial Advanced Technology Attachment 2) SSD(Solid State Drive)上搭载下一代高速NAND闪存,读写速度将会比现在提高两倍 三星已于今年6月向JEDEC提交了有关“Toggle DDR 2.0”技术的标准申请,