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三星进入批量生产世界首款30纳米级DRAM内存芯片

点击量:   时间:2019-03-02 11:13:08

韩联社首尔7月21日电 三星电子从本月起开始了30纳米级DRAM内存芯片的批量生产 三星电子21日称,在世界上首次成功研发的30纳米级2千兆字节DDR3 DRAM内存芯片,已从本月起进入批量生产 30纳米级别是指,半导体元件基板电路间的连线宽度为30纳米,这与40纳米或50纳米级别相比,能在同样的空间容纳更多的电路此外,生产效率比40纳米DRAM内存芯片率提高了60%;成本竞争力比50纳米和60纳米DRAM内存芯片提高了两倍以上 DRAM作为半导体记忆芯片,用于电脑等大容量存储设备;DDR作为1997年三星电子公司首推、并成为业界标准的技术,30纳米级DDR3 DRAM的数据处理速度最高达2133Mbps,处理速度分别比过去的DDR3 DRAM和DDR2 DRAM提高1.6倍和3.5倍 同时,30纳米级DDR3 DRAM的设计符合大容量内存芯片,因此耗电量与50纳米和40纳米DRAM内存芯片相比,分别减少了30%和15%以上 三星电子有关负责人称:“我们计划凭借环保型内存芯片30纳米级DDR3 DRAM,给我们的顾客提供最佳解决方案” 三星还计划在年内开始批量生产30纳米级4千兆字节DDR3 DRAM内存芯片,